Fabrikant Productnummer:

TSM80N1R2CI

Product Overview

Fabrikant:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

TSM80N1R2CI-DG

Beschrijving:

800V, 5.5A, SINGLE N-CHANNEL POW

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 800 V 5.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole ITO-220

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online

12998598

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

TSM80N1R2CI Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Taiwan Semiconductor

Verpakking

Tube

Reeks

-

Toestand van het product

Active

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

800 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

5.5A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

10V

Rds aan (max) @ id, vgs

1.2Ohm @ 1.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

19.4 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±30V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

685 pF @ 100 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

25W (Tc)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage

Through Hole

Leverancier Device Pakket

ITO-220

Pakket / Doos

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Basis productnummer

TSM80

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket

4,000

Andere namen

1801-TSM80N1R2CI

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status

ROHS3 Compliant

REACH-status

REACH Unaffected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

TSM052NB03CR

30V, 90A, SINGLE N-CHANNEL POWE

vishay-siliconix

SI2328DS-T1-BE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SI2377EDS-T1-BE3

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

TSM4NB60CI

600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER