Fabrikant Productnummer:
2SK3566(STA4,Q,M)
Product Overview
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
2SK3566(STA4,Q,M)-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 900 V 2.5A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Voorraad:
386 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12889363
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
2SK3566(STA4,Q,M) Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Tube
Reeks
π-MOSIV
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
900 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
6.4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
470 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
40W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220SIS
Pakket / Doos
TO-220-3 Full Pack
Basis productnummer
2SK3566
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
2SK3566STA4QM
2SK3566(Q)
2SK3566(STA4QM)
2SK3566Q
2SK3566-NDR
2SK3566Q-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
RoHS Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
TK60P03M1,RQ(S
MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
TK20A25D,S5Q(M
MOSFET N-CH 250V 20A TO220SIS
SSM3K376R,LF
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
