HN4B102J(TE85L,F)
Fabrikant Productnummer:

HN4B102J(TE85L,F)

Product Overview

Fabrikant:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

HN4B102J(TE85L,F)-DG

Beschrijving:

PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Gedetailleerde Beschrijving:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 1.8A, 2A 750mW Surface Mount SMV

Voorraad:

2900 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12988801
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

HN4B102J(TE85L,F) Technische specificaties

Categorie
Bipolaire (BJT), Bipolaire Transistor Arrays
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
NPN, PNP
Stroom - collector (ic) (max)
1.8A, 2A
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
30V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 200mA, 2V
Vermogen - Max
750mW
Frequentie - Overgang
-
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
SC-74A, SOT-753
Leverancier Device Pakket
SMV
Basis productnummer
HN4B102

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
264-HN4B102J(TE85LF)TR
264-HN4B102J(TE85LF)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)DKR
264-HN4B102J(TE85L,F)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)TR
264-HN4B102J(TE85L,F)CT

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
texas-instruments

ULN2803CDWR

50-V, EIGHT-CHANNEL DARLINGTON A

onsemi

SBC846BDW1T1G-M01

SBC846BDW1T1G-M01

central-semiconductor

CMLT3474 TR

TRANS NPN/PNP 25V 1A SOT563

micro-commercial-components

MMDT3906HE3-TP

DUAL PNP TRANSISTORS, SOT-363