Fabrikant Productnummer:
HN4B102J(TE85L,F)
Product Overview
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
HN4B102J(TE85L,F)-DG
Beschrijving:
PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Gedetailleerde Beschrijving:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 1.8A, 2A 750mW Surface Mount SMV
Voorraad:
2900 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12988801
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
HN4B102J(TE85L,F) Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Bipolaire Transistor Arrays
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
NPN, PNP
Stroom - collector (ic) (max)
1.8A, 2A
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
30V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 200mA, 2V
Vermogen - Max
750mW
Frequentie - Overgang
-
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
SC-74A, SOT-753
Leverancier Device Pakket
SMV
Basis productnummer
HN4B102
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
264-HN4B102J(TE85LF)TR
264-HN4B102J(TE85LF)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)DKR
264-HN4B102J(TE85L,F)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)TR
264-HN4B102J(TE85L,F)CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
ULN2803CDWR
50-V, EIGHT-CHANNEL DARLINGTON A
SBC846BDW1T1G-M01
SBC846BDW1T1G-M01
CMLT3474 TR
TRANS NPN/PNP 25V 1A SOT563
