Fabrikant Productnummer:
RN1106MFV,L3F
Product Overview
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
RN1106MFV,L3F-DG
Beschrijving:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Gedetailleerde Beschrijving:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Voorraad:
53233 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12891576
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
RN1106MFV,L3F Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Enkele, Vooraf Voorzien Bipolaire Transistors
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Stroom - collector (ic) (max)
100 mA
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
50 V
Weerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Weerstand - Emitter Basis (R2)
47 kOhms
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 5mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
500nA
Vermogen - Max
150 mW
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
SOT-723
Leverancier Device Pakket
VESM
Basis productnummer
RN1106
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
8,000
Andere namen
RN1106MFV,L3F(T
RN1106MFVL3F-DG
RN1106MFV,L3F(B
RN1106MFVL3F(B
RN1106MFVL3F(T
RN1106MFVL3FDKR
RN1106MFVL3F
RN1106MFVL3FTR
RN1106MFVL3FCT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
RN1309(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN1404S,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
DDTC123YKA-7-F
TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
