Fabrikant Productnummer:
RN1131MFV(TL3,T)
Product Overview
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
RN1131MFV(TL3,T)-DG
Beschrijving:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Gedetailleerde Beschrijving:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Voorraad:
3000 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12889320
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
RN1131MFV(TL3,T) Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Enkele, Vooraf Voorzien Bipolaire Transistors
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Cut Tape (CT)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Stroom - collector (ic) (max)
100 mA
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
50 V
Weerstand - Basis (R1)
100 kOhms
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 5mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Vermogen - Max
150 mW
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
SOT-723
Leverancier Device Pakket
VESM
Basis productnummer
RN1131
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
8,000
Andere namen
RN1131MFVTL3T
RN1131MFV(TL3T)DKR
RN1131MFV(TL3T)CT
RN1131MFV(TL3T)TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
RoHS Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
DTC115TM3T5G
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
DTC115TM3T5G-DG
EENHEIDSPRIJS
0.03
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
RN1110(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1112ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
RN2103(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM