Fabrikant Productnummer:
RN1909,LF(CT
Product Overview
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
RN1909,LF(CT-DG
Beschrijving:
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
Gedetailleerde Beschrijving:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Voorraad:
2392 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12889367
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
tQCt
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
RN1909,LF(CT Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Bipolaire Transistorarrays, Voorgepolariseerd
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Stroom - collector (ic) (max)
100mA
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
50V
Weerstand - Basis (R1)
47kOhms
Weerstand - Emitter Basis (R2)
22kOhms
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 10mA, 5V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequentie - Overgang
250MHz
Vermogen - Max
200mW
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Leverancier Device Pakket
US6
Basis productnummer
RN1909
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
RN1909LF(CTTR
RN1909LF(CTCT-DG
RN1909LF(CTDKR
RN1909LF(CTCT
264-RN1909,LF(CTTR
264-RN1909,LF(CT
RN1909LF(CTDKR-DG
264-RN1909,LF(CTDKR
RN1909LF(CTTR-DG
RN1909,LF(CB
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
RN2703JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN1701JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
DDC144TU-7
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
