RN1910FE,LF(CT
Fabrikant Productnummer:

RN1910FE,LF(CT

Product Overview

Fabrikant:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

RN1910FE,LF(CT-DG

Beschrijving:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Gedetailleerde Beschrijving:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6

Voorraad:

4750 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12889497
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

RN1910FE,LF(CT Technische specificaties

Categorie
Bipolaire (BJT), Bipolaire Transistorarrays, Voorgepolariseerd
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Stroom - collector (ic) (max)
100mA
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
50V
Weerstand - Basis (R1)
4.7kOhms
Weerstand - Emitter Basis (R2)
-
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequentie - Overgang
250MHz
Vermogen - Max
100mW
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
SOT-563, SOT-666
Leverancier Device Pakket
ES6
Basis productnummer
RN1910

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
4,000
Andere namen
RN1910FE,LF(CB
RN1910FELF(CTTR
RN1910FELF(CTDKR
RN1910FELF(CTCT

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1970FE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4901,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4985,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1909(T5L,F,T)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6