Fabrikant Productnummer:
RN1962FE(TE85L,F)
Product Overview
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
RN1962FE(TE85L,F)-DG
Beschrijving:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Gedetailleerde Beschrijving:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Voorraad:
3815 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12891334
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
RN1962FE(TE85L,F) Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Bipolaire Transistorarrays, Voorgepolariseerd
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Stroom - collector (ic) (max)
100mA
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
50V
Weerstand - Basis (R1)
10kOhms
Weerstand - Emitter Basis (R2)
10kOhms
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
50 @ 10mA, 5V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequentie - Overgang
250MHz
Vermogen - Max
100mW
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
SOT-563, SOT-666
Leverancier Device Pakket
ES6
Basis productnummer
RN1962
Aanvullende informatie
Standaard pakket
4,000
Andere namen
RN1962FE(TE85LF)TR
RN1962FE(TE85LF)DKR
RN1962FETE85LF
RN1962FE(TE85LF)CT
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
RN1102MFV,L3F
Fabrikant
Toshiba Semiconductor and Storage
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
13398
DEELNUMMER
RN1102MFV,L3F-DG
EENHEIDSPRIJS
0.02
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
RN1503(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
RN1704,LF
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH
RN4902,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
