Fabrikant Productnummer:
RN1965FE(TE85L,F)
Product Overview
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
RN1965FE(TE85L,F)-DG
Beschrijving:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Gedetailleerde Beschrijving:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Voorraad:
20 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12889749
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
RN1965FE(TE85L,F) Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Bipolaire Transistorarrays, Voorgepolariseerd
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Cut Tape (CT)
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Stroom - collector (ic) (max)
100mA
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
50V
Weerstand - Basis (R1)
2.2kOhms
Weerstand - Emitter Basis (R2)
47kOhms
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequentie - Overgang
250MHz
Vermogen - Max
100mW
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
SOT-563, SOT-666
Leverancier Device Pakket
ES6
Basis productnummer
RN1965
Aanvullende informatie
Standaard pakket
4,000
Andere namen
RN1965FE(TE85LF)CT
RN1965FETE85LF
RN1965FE(TE85LF)TR
RN1965FE(TE85LF)DKR
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
PEMH10,115
Fabrikant
Nexperia USA Inc.
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
7750
DEELNUMMER
PEMH10,115-DG
EENHEIDSPRIJS
0.07
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
RN4901FE,LF(CT
PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
RN1510(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
RN1968(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
