RN2110ACT(TPL3)
Fabrikant Productnummer:

RN2110ACT(TPL3)

Product Overview

Fabrikant:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

RN2110ACT(TPL3)-DG

Beschrijving:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Gedetailleerde Beschrijving:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3

Voorraad:

10000 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12891296
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

RN2110ACT(TPL3) Technische specificaties

Categorie
Bipolaire (BJT), Enkele, Vooraf Voorzien Bipolaire Transistors
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Stroom - collector (ic) (max)
80 mA
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
50 V
Weerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
150mV @ 250µA, 5mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Vermogen - Max
100 mW
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
SC-101, SOT-883
Leverancier Device Pakket
CST3
Basis productnummer
RN2110

Aanvullende informatie

Standaard pakket
10,000
Andere namen
RN2110ACT(TPL3)DKR
RN2110ACT(TPL3)CT
RN2110ACT(TPL3)TR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
RoHS Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1425TE85LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1427TE85LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2107MFV,L3F

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1115MFV,L3F

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM