Fabrikant Productnummer:
RN2713JE(TE85L,F)
Product Overview
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
RN2713JE(TE85L,F)-DG
Beschrijving:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Gedetailleerde Beschrijving:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
Voorraad:
3980 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12889394
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
RN2713JE(TE85L,F) Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Bipolaire Transistorarrays, Voorgepolariseerd
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Stroom - collector (ic) (max)
100mA
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
50V
Weerstand - Basis (R1)
47kOhms
Weerstand - Emitter Basis (R2)
-
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequentie - Overgang
200MHz
Vermogen - Max
100mW
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
SOT-553
Leverancier Device Pakket
ESV
Basis productnummer
RN2713
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
4,000
Andere namen
RN2713JE(TE85LF)TR
RN2713JE(TE85LF)CT
RN2713JE(TE85LF)DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
RoHS Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
RN2910,LF(CT
PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
RN1965(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN2607(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6