Fabrikant Productnummer:
RN46A1(TE85L,F)
Product Overview
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
RN46A1(TE85L,F)-DG
Beschrijving:
PNP + NPN BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Gedetailleerde Beschrijving:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Voorraad:
13275888
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
RN46A1(TE85L,F) Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Bipolaire Transistorarrays, Voorgepolariseerd
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Stroom - collector (ic) (max)
100mA
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
50V
Weerstand - Basis (R1)
22kOhms, 10kOhms
Weerstand - Emitter Basis (R2)
22kOhms, 10kOhms
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10mA, 5V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequentie - Overgang
200MHz, 250MHz
Vermogen - Max
300mW
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
SC-74, SOT-457
Leverancier Device Pakket
SM6
Basis productnummer
RN46A1
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
264-RN46A1(TE85LF)DKR
264-RN46A1(TE85LF)TR
264-RN46A1(TE85LF)CT
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
RN4606(TE85L,F)
Fabrikant
Toshiba Semiconductor and Storage
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
3939
DEELNUMMER
RN4606(TE85L,F)-DG
EENHEIDSPRIJS
0.04
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
RN1707JE(TE85L,F)
NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
RN4988(TE85L,F)
NPN + PNP BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
RN1710JE(TE85L,F)
NPN X 2 BRT Q1BSR=4.7KOHM Q1BER=
