Fabrikant Productnummer:
RN4985FE,LF(CT
Product Overview
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
RN4985FE,LF(CT-DG
Beschrijving:
NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
Gedetailleerde Beschrijving:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Voorraad:
259 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12889099
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
RN4985FE,LF(CT Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Bipolaire Transistorarrays, Voorgepolariseerd
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Stroom - collector (ic) (max)
100mA
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
50V
Weerstand - Basis (R1)
2.2kOhms
Weerstand - Emitter Basis (R2)
47kOhms
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequentie - Overgang
250MHz, 200MHz
Vermogen - Max
100mW
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
SOT-563, SOT-666
Leverancier Device Pakket
ES6
Basis productnummer
RN4985
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
4,000
Andere namen
RN4985FE,LF(CB
RN4985FELF(CTDKR
RN4985FELF(CTTR
RN4985FELF(CTCT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
DCX123JH-7
Fabrikant
Diodes Incorporated
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
DCX123JH-7-DG
EENHEIDSPRIJS
0.06
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
RN4990(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4906FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4987FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6