Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Belgium
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Belgium
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
Frankrijk
Spanje
Turkije
Moldavië
Litouwen
Noorwegen
Duitsland
Portugal
Slowakije
Italië
Finland
Russisch
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Servië
Wit-Rusland
Nederland
Zweden
Montenegro
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Roemenië
Oostenrijk
België
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Congo
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Angola
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentinië
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
TK12E60W,S1VX
Product Overview
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
TK12E60W,S1VX-DG
Beschrijving:
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 11.5A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Voorraad:
50 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12891143
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
TK12E60W,S1VX Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Tube
Reeks
DTMOSIV
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
300mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 600µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
890 pF @ 300 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
110W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
TK12E60
Datasheet & Documenten
Technische fiches
TK12E60W
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
TK12E60WS1VX
TK12E60W,S1VX(S
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
TPC6111(TE85L,F,M)
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
TK17N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247
SSM3J325F,LF
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
TPC8132,LQ(S
MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP