Fabrikant Productnummer:
TK160F10N1L,LXGQ
Product Overview
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
TK160F10N1L,LXGQ-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
Voorraad:
8900 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12943588
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
TK160F10N1L,LXGQ Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
U-MOSVIII-H
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
160A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
6V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
10100 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
375W (Tc)
Werkende Temperatuur
175°C
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-220SM(W)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
TK160F10
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
TK160F10N1L,LXGQ(O
264-TK160F10N1LLXGQTR
264-TK160F10N1LLXGQDKR
264-TK160F10N1LLXGQCT
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
STD18N65M2-EP
MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
BUK7S1R2-40HJ
MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK88
