Fabrikant Productnummer:
TK32E12N1,S1X
Product Overview
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
TK32E12N1,S1X-DG
Beschrijving:
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 120 V 60A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-220
Voorraad:
78 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12889193
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
TK32E12N1,S1X Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Tube
Reeks
U-MOSVIII-H
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
120 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
13.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 60 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
98W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
TK32E12
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
TK32E12N1S1X
TK32E12N1,S1X(S
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
TK4A60DB(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
TK4P50D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
TK20A60W,S5VX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
