TK39N60X,S1F
Fabrikant Productnummer:

TK39N60X,S1F

Product Overview

Fabrikant:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

TK39N60X,S1F-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247

Voorraad:

30 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12891669
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

TK39N60X,S1F Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Tube
Reeks
DTMOSIV-H
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
38.8A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
65mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.9mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4100 pF @ 300 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
270W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
TK39N60

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
30
Andere namen
TK39N60XS1F
TK39N60X,S1F(S

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
diodes

DMT8008SPS-13

MOSFET N-CH 80V 83A PWRDI5060-8

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM4K27CTTPL3

MOSFET N-CH 20V 500MA CST4

diodes

DMP2040UFDF-13

MOSFET P-CH 20V 13A 6UDFN

diodes

DMN5L06K-7

MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3