Fabrikant Productnummer:
TK58E06N1,S1X
Product Overview
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
TK58E06N1,S1X-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 60V 58A TO220
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 58A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Voorraad:
12891154
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
TK58E06N1,S1X Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Tube
Reeks
U-MOSVIII-H
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
58A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
5.4mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3400 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
110W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
TK58E06
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
TK58E06N1,S1X(S
TK58E06N1S1X
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
FDP047N08
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
4680
DEELNUMMER
FDP047N08-DG
EENHEIDSPRIJS
1.45
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
TPH4R50ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
TPH8R008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
2SK2989(TPE6,F,M)
MOSFET N-CH TO92MOD
