Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Belgium
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Belgium
Schakel:
Engels
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
TK6Q60W,S1VQ
Product Overview
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
TK6Q60W,S1VQ-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 6.2A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-Pak
Voorraad:
36 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12890251
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
TK6Q60W,S1VQ Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Tube
Reeks
DTMOSIV
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
820mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 310µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
390 pF @ 300 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
60W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
I-PAK
Pakket / Doos
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basis productnummer
TK6Q60
Datasheet & Documenten
Technische fiches
TK6Q60W
Aanvullende informatie
Standaard pakket
75
Andere namen
TK6Q60W,S1VQ(S
TK6Q60WS1VQ
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
TPCA8120,LQ(CM
MOSFET P-CH 30V 45A 8SOP
TK380P65Y,RQ
MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
SSM6K204FE,LF
MOSFET N-CH 20V 2A ES6
TPN7R506NH,L1Q
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON