Fabrikant Productnummer:
TK7A80W,S4X
Product Overview
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
TK7A80W,S4X-DG
Beschrijving:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 6.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Voorraad:
50 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12988686
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
TK7A80W,S4X Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Tube
Reeks
DTMOSIV
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
950mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 280µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 300 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
35W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220SIS
Pakket / Doos
TO-220-3 Full Pack
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
264-TK7A80W,S4X
264-TK7A80WS4X
264-TK7A80W,S4X-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
S2M0025120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
TK8A25DA,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
BSS138WT106
NCH 60V 310MA, SOT-323, SMALL SI