Fabrikant Productnummer:
TK7J90E,S1E
Product Overview
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
TK7J90E,S1E-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 900 V 7A (Ta) 200W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Voorraad:
25 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12890324
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
TK7J90E,S1E Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Tube
Reeks
π-MOSVIII
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
900 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 700µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
200W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-3P(N)
Pakket / Doos
TO-3P-3, SC-65-3
Basis productnummer
TK7J90
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
25
Andere namen
TK7J90E,S1E(S
TK7J90ES1E
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
TPCA8065-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
DMN3016LFDE-7
MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
TK12A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
