Fabrikant Productnummer:
TPN2R805PL,L1Q
Product Overview
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
TPN2R805PL,L1Q-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 45 V 80A (Tc) 2.67W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Voorraad:
4905 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12890929
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
TPN2R805PL,L1Q Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
U-MOSIX-H
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
45 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 300µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3200 pF @ 22.5 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.67W (Ta), 104W (Tc)
Werkende Temperatuur
175°C
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pakket / Doos
8-PowerVDFN
Basis productnummer
TPN2R805
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
5,000
Andere namen
264-TPN2R805PL,L1QCT
264-TPN2R805PL,L1QDKR
264-TPN2R805PL,L1QTR
TPN2R805PLL1Q-DG
TPN2R805PLL1Q
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
RoHS Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
TPN1R603PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
TK60E08K3,S1X(S
MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3
TK3A60DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
