Fabrikant Productnummer:
TP65H035G4WSQA
Product Overview
Fabrikant:
Transphorm
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
TP65H035G4WSQA-DG
Beschrijving:
650 V 46.5 GAN FET
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 47.2A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-3
Voorraad:
293 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12968099
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
TP65H035G4WSQA Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Transphorm
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
47.2A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
187W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247-3
Pakket / Doos
TO-247-3
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
1707-TP65H035G4WSQA
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRFS630B
9A, 200V, 0.4OHM, N-CHANNEL MOSF
CPH3331-TL-E
P-CHANNEL SILICON MOSFET FOR GEN
SIR5802DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
