Fabrikant Productnummer:
TP65H050G4YS
Product Overview
Fabrikant:
Transphorm
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
TP65H050G4YS-DG
Beschrijving:
650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Voorraad:
450 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13259175
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
TP65H050G4YS Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Transphorm
Verpakking
Tube
Reeks
SuperGaN®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 700µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
132W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247-4L
Pakket / Doos
TO-247-4
Aanvullende informatie
Standaard pakket
450
Andere namen
1707-TP65H050G4YS
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
GC030N65QF
MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
GC20N65QD
MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
GC280N65F
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F
