Fabrikant Productnummer:
TP65H050WS
Product Overview
Fabrikant:
Transphorm
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
TP65H050WS-DG
Beschrijving:
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 119W (Tc) Through Hole TO-247-3
Voorraad:
327 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13447512
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
TP65H050WS Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Transphorm
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
12V
Rds aan (max) @ id, vgs
60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 700µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
119W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247-3
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
TP65H050
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
RH6P030BG
TRANS MOSFET N-CH SMD
NVBG020N120SC1
MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
AONR21305C
MOSFET P-CH 30V 8DFN
