TP65H150G4LSG
Fabrikant Productnummer:

TP65H150G4LSG

Product Overview

Fabrikant:

Transphorm

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

TP65H150G4LSG-DG

Beschrijving:

GAN FET N-CH 650V PQFN
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)

Voorraad:

2939 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13275976
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

TP65H150G4LSG Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Transphorm
Verpakking
Tray
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 500µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
598 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
52W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
3-PQFN (8x8)
Pakket / Doos
3-PowerTDFN
Basis productnummer
TP65H150

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
1707-TP65H150G4LSG
1707-TP65H150G4LSGDKR
1707-TP65H150G4LSGCT

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
TP65H150G4LSG-TR
Fabrikant
Transphorm
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
2884
DEELNUMMER
TP65H150G4LSG-TR-DG
EENHEIDSPRIJS
2.18
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
transphorm

TPH3206LSGB

GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN

infineon-technologies

IPA029N06NM5SXKSA1

MOSFET N-CH 60V 87A TO220

infineon-technologies

IPB60R070CFD7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3

infineon-technologies

BSZ039N06NSATMA1

MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON