Fabrikant Productnummer:
TPH3202PD
Product Overview
Fabrikant:
Transphorm
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
TPH3202PD-DG
Beschrijving:
GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voorraad:
13446567
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
TPH3202PD Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Transphorm
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
350mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±18V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 480 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
65W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
STP15N60M2-EP
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
334
DEELNUMMER
STP15N60M2-EP-DG
EENHEIDSPRIJS
0.76
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
TK10E60W,S1VX
Fabrikant
Toshiba Semiconductor and Storage
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
30
DEELNUMMER
TK10E60W,S1VX-DG
EENHEIDSPRIJS
1.31
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
TPH3206LDB
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
TPH3208LSG
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
TP65H070LSG
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN