IRF630PBF

Fabrikant Productnummer:

IRF630PBF

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IRF630PBF-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 200 V 9A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB

Voorraad:

5461 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad

12938878

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

IRF630PBF Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Vishay

Verpakking

Tube

Reeks

-

Toestand van het product

Active

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

200 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

9A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

10V

Rds aan (max) @ id, vgs

400mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

43 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±20V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

800 pF @ 25 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

74W (Tc)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage

Through Hole

Leverancier Device Pakket

TO-220AB

Pakket / Doos

TO-220-3

Basis productnummer

IRF630

Datasheet & Documenten

Datasheets

HTML Gegevensblad

Technische fiches

IRF630 Packaging Information

Aanvullende informatie

Standaard pakket

50

Andere namen

*IRF630PBF

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Affected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

onsemi

NVMFS6H801NWFT1G

MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN

onsemi

NTP6412ANG

MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB

onsemi

NTMFS4C028NT3G

MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN

renesas-electronics-america

UPA1803GR-9JG-E1-A

MOSFET N-CH 30V 8-TSSOP