IRF9610STRR

Fabrikant Productnummer:

IRF9610STRR

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IRF9610STRR-DG

Beschrijving:

MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK

Gedetailleerde Beschrijving:

P-Channel 200 V 1.8A (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online

12893825

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

IRF9610STRR Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Vishay

Verpakking

-

Reeks

-

Toestand van het product

Active

Soort FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

200 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

1.8A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

10V

Rds aan (max) @ id, vgs

3Ohm @ 900mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

11 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±20V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

170 pF @ 25 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

3W (Ta), 20W (Tc)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage

Surface Mount

Leverancier Device Pakket

TO-263 (D2PAK)

Pakket / Doos

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Basis productnummer

IRF9610

Datasheet & Documenten

Technische fiches

IRF9610S, SiHF9610S

Datasheets

HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket

800

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status

RoHS non-compliant

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

vishay-siliconix

IRFBE30

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB

taiwan-semiconductor

TSM6N50CP ROG

MOSFET N-CH 500V 5.6A TO252

diodes

DMP4050SSS-13

MOSFET P-CH 40V 4.4A 8SO

diodes

DMT6005LSS-13

MOSFET N-CH 60V 13.5A 8SO