IRFB9N65APBF-BE3
Fabrikant Productnummer:

IRFB9N65APBF-BE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IRFB9N65APBF-BE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 8.5A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB

Voorraad:

862 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12978048
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IRFB9N65APBF-BE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
8.5A (Tc)
Rds aan (max) @ id, vgs
930mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1417 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
167W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
IRFB9

Datasheet & Documenten

Technische fiches
IRFB9N65A, SiHFB9N65A
Datasheets
IRFB9N65APBF-BE3
HTML Gegevensblad
IRFB9N65APBF-BE3-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket
50
Andere namen
742-IRFB9N65APBF-BE3

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SQJ211ELP-T1_GE3

MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8

micro-commercial-components

MCB200N06YA-TP

N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK

stmicroelectronics

STB15810

N-channel 800 V, 0.300 Ohm typ.,

vishay-siliconix

IRFL210TRPBF-BE3

MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223