IRFB9N65APBF
Fabrikant Productnummer:

IRFB9N65APBF

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IRFB9N65APBF-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 8.5A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB

Voorraad:

912 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12911779
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IRFB9N65APBF Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
8.5A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
930mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1417 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
167W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
IRFB9

Datasheet & Documenten

Datasheets
IRFB9N65APBF
HTML Gegevensblad
IRFB9N65APBF-DG
Technische fiches
IRFB9N65A, SiHFB9N65A Packaging Information

Aanvullende informatie

Standaard pakket
50
Andere namen
*IRFB9N65APBF

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

IRFP264

MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3

vishay-siliconix

IRF644PBF

MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB

vishay-siliconix

IRF9620PBF

MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB

vishay-siliconix

IRFIZ44G

MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3