Fabrikant Productnummer:
IRFBE30LPBF
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IRFBE30LPBF-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Voorraad:
990 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12858042
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IRFBE30LPBF Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
I2PAK
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis productnummer
IRFBE30
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
2266-IRFBE30LPBF
*IRFBE30LPBF
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
NDD60N900U1-1G
MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK
NTS4001NT1
MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
NTMFS4C08NT3G
MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
