IRFBE30STRLPBF
Fabrikant Productnummer:

IRFBE30STRLPBF

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IRFBE30STRLPBF-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Voorraad:

800 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12882638
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IRFBE30STRLPBF Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
IRFBE30

Aanvullende informatie

Standaard pakket
800
Andere namen
IRFBE30STRLPBFTR
IRFBE30STRLPBFCT
IRFBE30STRLPBF-DG
IRFBE30STRLPBFDKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

IRFBC40L

MOSFET N-CH 600V 6.2A I2PAK

diodes

DMT10H015LSS-13

MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO

diodes

DMN3051LDM-7

MOSFET N-CH 30V 4A SOT26

diodes

DMG7401SFG-7

MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8