IRFBG30PBF

Fabrikant Productnummer:

IRFBG30PBF

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IRFBG30PBF-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB

Voorraad:

4495 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad

12852836

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

IRFBG30PBF Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Vishay

Verpakking

Tube

Reeks

-

Toestand van het product

Active

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

1000 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

3.1A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

10V

Rds aan (max) @ id, vgs

5Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

80 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±20V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

980 pF @ 25 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

125W (Tc)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage

Through Hole

Leverancier Device Pakket

TO-220AB

Pakket / Doos

TO-220-3

Basis productnummer

IRFBG30

Datasheet & Documenten

Datasheets

HTML Gegevensblad

Technische fiches

IRFBG30 Packaging Information

Aanvullende informatie

Standaard pakket

50

Andere namen

*IRFBG30PBF

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Affected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

vishay-siliconix

IRFI630GPBF

MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3

infineon-technologies

IRF7726TR

MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8

infineon-technologies

IPP80N06S208AKSA2

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

infineon-technologies

SPP11N60S5XKSA1

LOW POWER_LEGACY