IRFD113PBF

Fabrikant Productnummer:

IRFD113PBF

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IRFD113PBF-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 60 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP

Voorraad:

2315 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad

12948653

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

IRFD113PBF Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Vishay

Verpakking

Tube

Reeks

-

Toestand van het product

Active

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

60 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

800mA (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

10V

Rds aan (max) @ id, vgs

800mOhm @ 800mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

7 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±20V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

200 pF @ 25 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

1W (Tc)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage

Through Hole

Leverancier Device Pakket

4-HVMDIP

Pakket / Doos

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Basis productnummer

IRFD113

Datasheet & Documenten

Technische fiches

IRFD113,SiHFD113

Datasheets

HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket

100

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

stmicroelectronics

STF10N65K3

MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP

infineon-technologies

AIMW120R045M1XKSA1

SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3

infineon-technologies

IPD90P03P404ATMA2

MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31

infineon-technologies

IPD80P03P4L07ATMA2

MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31