Fabrikant Productnummer:
IRFPE30
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IRFPE30-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247AC
Voorraad:
12914785
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IRFPE30 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247AC
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
IRFPE30
Aanvullende informatie
Standaard pakket
500
Andere namen
*IRFPE30
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
RoHS non-compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IRFPE30PBF
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
383
DEELNUMMER
IRFPE30PBF-DG
EENHEIDSPRIJS
2.37
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI8405DB-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT
IXTM11N80
MOSFET N-CH 800V 11A TO204AA
IXTH34N65X2
MOSFET N-CH 650V 34A TO247
