IRLD110PBF

Fabrikant Productnummer:

IRLD110PBF

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IRLD110PBF-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Voorraad:

4444 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad

12905598

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

IRLD110PBF Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Vishay

Verpakking

Tube

Reeks

-

Toestand van het product

Active

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

100 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

1A (Ta)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

4V, 5V

Rds aan (max) @ id, vgs

540mOhm @ 600mA, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

6.1 nC @ 5 V

Vgs (Max.)

±10V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

250 pF @ 25 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

1.3W (Ta)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type montage

Through Hole

Leverancier Device Pakket

4-HVMDIP

Pakket / Doos

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Basis productnummer

IRLD110

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Datasheets

HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket

100

Andere namen

*IRLD110PBF

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

littelfuse

IXTA3N100P

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263

diodes

ZXMN6A07ZTA

MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3

littelfuse

IXFC14N60P

MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220

diodes

ZVN3310FTA

MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3