Fabrikant Productnummer:
SI1013X-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI1013X-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 20 V 350mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Voorraad:
20598 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12915815
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI1013X-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
350mA (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
1.8V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±6V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
250mW (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
SC-89-3
Pakket / Doos
SC-89, SOT-490
Basis productnummer
SI1013
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI1013X-T1-GE3TR
SI1013X-T1-GE3DKR
SI1013XT1GE3
SI1013X-T1-GE3CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIHG24N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
SQR40N10-25_GE3
MOSFET N-CH 100V 40A TO252 REV
SIR696DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
