Fabrikant Productnummer:
SI1913DH-T1-E3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI1913DH-T1-E3-DG
Beschrijving:
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 20V 880mA 570mW Surface Mount SC-70-6
Voorraad:
12955057
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI1913DH-T1-E3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuratie
2 P-Channel (Dual)
FET-functie
Logic Level Gate
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
880mA
Rds aan (max) @ id, vgs
490mOhm @ 880mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
1.8nC @ 4.5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
-
Vermogen - Max
570mW
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Leverancier Device Pakket
SC-70-6
Basis productnummer
SI1913
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI1913DH-T1-E3DKR
SI1913DH-T1-E3CT
SI1913DH-T1-E3TR
SI1913DHT1E3
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
NTJD4152PT1G
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
15411
DEELNUMMER
NTJD4152PT1G-DG
EENHEIDSPRIJS
0.10
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
FDG6304P
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
6300
DEELNUMMER
FDG6304P-DG
EENHEIDSPRIJS
0.15
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
TQM110NB04DCR RLG
MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU
SI7925DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A PPAK 1212
NDS9952A-F011
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8SOIC
