Fabrikant Productnummer:
SI1965DH-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI1965DH-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 12V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6
Voorraad:
5645 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12913373
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI1965DH-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuratie
2 P-Channel (Dual)
FET-functie
Logic Level Gate
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
12V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
1.3A
Rds aan (max) @ id, vgs
390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
4.2nC @ 8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
120pF @ 6V
Vermogen - Max
1.25W
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Leverancier Device Pakket
SC-70-6
Basis productnummer
SI1965
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI1965DH-T1-GE3TR
SI1965DH-T1-GE3DKR
SI1965DHT1GE3
SI1965DH-T1-GE3CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI4650DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
SI5515CDC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
SI4925BDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
