Fabrikant Productnummer:
SI2301CDS-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI2301CDS-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 20 V 3.1A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Voorraad:
222665 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12914459
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI2301CDS-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.5V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
405 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
SOT-23-3 (TO-236)
Pakket / Doos
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis productnummer
SI2301
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI2301CDS-T1-GE3TR
SI2301CDS-T1-GE3DKR
SI2301CDST1GE3
SI2301CDS-T1-GE3CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI1473DH-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
IRFR9020TRLPBF
MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
2N7002BKM,315
MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006-3
