Fabrikant Productnummer:
SI2305CDS-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI2305CDS-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 8 V 5.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Voorraad:
46362 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12915302
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI2305CDS-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
8 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
1.8V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 8 V
Vgs (Max.)
±8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
960 pF @ 4 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
SOT-23-3 (TO-236)
Pakket / Doos
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis productnummer
SI2305
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI2305CDS-T1-GE3DKR
SI2305CDST1GE3
SI2305CDS-T1-GE3TR
SI2305CDS-T1-GE3-DG
SI2305CDS-T1-GE3CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI4490DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
SI2302ADS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
IRFI520GPBF
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3
