Fabrikant Productnummer:
SI2307BDS-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI2307BDS-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 30 V 2.5A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Voorraad:
5449 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12917235
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI2307BDS-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
78mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
380 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
750mW (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
SOT-23-3 (TO-236)
Pakket / Doos
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis productnummer
SI2307
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI2307BDS-T1-GE3-DG
SI2307BDS-T1-GE3CT
SI2307BDS-T1-GE3TR
SI2307BDS-T1-GE3DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIR808DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
SI8445DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 9.8A 4MICROFOOT
SI7476DP-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
