Fabrikant Productnummer:
SI2308BDS-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI2308BDS-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 2.3A (Tc) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Voorraad:
54832 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12913799
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI2308BDS-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
156mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
190 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
SOT-23-3 (TO-236)
Pakket / Doos
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis productnummer
SI2308
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI2308BDST1GE3
SI2308BDS-T1-GE3TR
SI2308BDS-T1-GE3CT
SI2308BDS-T1-GE3DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IXTH180N10T
MOSFET N-CH 100V 180A TO247
IRLR014TRL
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
SI1473DH-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
