SI2312BDS-T1-E3
Fabrikant Productnummer:

SI2312BDS-T1-E3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SI2312BDS-T1-E3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 20 V 3.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Voorraad:

44735 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12914601
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SI2312BDS-T1-E3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
3.9A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
1.8V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
31mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±8V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
750mW (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
SOT-23-3 (TO-236)
Pakket / Doos
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis productnummer
SI2312

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI2312BDS-T1-E3CT
SI2312BDS-T1-E3DKR
SI2312BDS-T1-E3TR
SI2312BDST1E3

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SI2302ADS-T1

MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

vishay-siliconix

SI4776DY-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO

vishay-siliconix

SI2308CDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3

vishay-siliconix

IRFRC20TRL

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK