Fabrikant Productnummer:
SI2312BDS-T1-E3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI2312BDS-T1-E3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 20 V 3.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Voorraad:
44735 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12914601
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI2312BDS-T1-E3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
3.9A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
1.8V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
31mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±8V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
750mW (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
SOT-23-3 (TO-236)
Pakket / Doos
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis productnummer
SI2312
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI2312BDS-T1-E3CT
SI2312BDS-T1-E3DKR
SI2312BDS-T1-E3TR
SI2312BDST1E3
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI2302ADS-T1
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
SI4776DY-T1-GE3
MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO
SI2308CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
