Fabrikant Productnummer:
SI2316BDS-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI2316BDS-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 4.5A (Tc) 1.25W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Voorraad:
61123 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12914813
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI2316BDS-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
50mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
SOT-23-3 (TO-236)
Pakket / Doos
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis productnummer
SI2316
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI2316BDST1GE3
SI2316BDS-T1-GE3TR
SI2316BDS-T1-GE3DKR
SI2316BDS-T1-GE3CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIA417DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
IRFPS30N60KPBF
MOSFET N-CH 600V 30A SUPER247
SI4636DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
