Fabrikant Productnummer:
SI2329DS-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI2329DS-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Voorraad:
4739 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12913419
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI2329DS-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
8 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
1.2V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
30mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1485 pF @ 4 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.5W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
SOT-23-3 (TO-236)
Pakket / Doos
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis productnummer
SI2329
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI2329DS-T1-GE3-DG
SI2329DS-T1-GE3CT
SI2329DS-T1-GE3TR
SI2329DS-T1-GE3DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRFBC30ASTRLPBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRL530S
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
SI4892DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SO
