SI2399DS-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SI2399DS-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SI2399DS-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 20 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Voorraad:

7732 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12917749
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SI2399DS-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
34mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
835 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.5W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
SOT-23-3 (TO-236)
Pakket / Doos
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis productnummer
SI2399

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI2399DS-T1-GE3CT
SI2399DS-T1-GE3TR
SI2399DS-T1-GE3-DG
SI2399DS-T1-GE3DKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
onsemi

NVMYS3D3N06CLTWG

MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK

vishay-siliconix

SIR864DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIS447DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SI2333DS-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3