SI3410DV-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SI3410DV-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SI3410DV-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.1W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Voorraad:

26128 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12959799
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SI3410DV-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
19.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1295 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2W (Ta), 4.1W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
6-TSOP
Pakket / Doos
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis productnummer
SI3410

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI3410DV-T1-GE3CT
SI3410DV-T1-GE3TR
SI3410DV-T1-GE3DKR
SI3410DVT1GE3

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

IRFR420TR

MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK

vishay-siliconix

SI4634DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 24.5A 8SO

vishay-siliconix

IRFR420

MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK

vishay-siliconix

IRFBC30ASTRL

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK