SI3442BDV-T1-E3
Fabrikant Productnummer:

SI3442BDV-T1-E3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SI3442BDV-T1-E3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 20 V 3A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Voorraad:

26929 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12916136
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SI3442BDV-T1-E3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.5V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
57mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
295 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
860mW (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
6-TSOP
Pakket / Doos
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis productnummer
SI3442

Datasheet & Documenten

Technische fiches
SI3442BDV

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SI3442BDV-T1-E3TR
SI3442BDV-T1-E3DKR
SI3442BDV-T1-E3CT
SI3442BDVT1E3

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SI4324DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 36A 8SO

vishay-siliconix

SI4102DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO

vishay-siliconix

SI7866ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI7668ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8